SJT 10066-1991 电子元器件详细规范 ＢＴ３７型ＰＮ硅单结晶体管（可供认证用）
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ID： |
F70931DB7F7D46C28DD689FF9079737E |
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文件大小(MB)： |
0.56 |
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页数： |
14 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子工业行业标准,电子元器件详细规范,BT 37型PN硅单结晶体管,Detail specification for electronic component,PN silicon unijunction transistors for type BT 37,SJ/T 1006B—91,（可供认证用）,本规范规定了 BT 37型PN硅单结晶体管质量评定的全部内容,它是按照GB/T 13066,《PN硅单结晶体管空白详细规范》制定的.,本规范符合GB 4589. 1《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB 12560《半导,体分立器件分规范》的要求,中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所,中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01 实施,1,SJ/T 10066—91,中华人民共和国机械电子工业部,评定器件质量的根据:,GB 4589. 1《半导体器件分立器件和集成电路,总规范》,GB 12560《半导体分立器件分规范》,SJ/T 10066—91,BT 37 A. BT 37 B. BT 37 C. BT 37 D. BT 37 E. BT 37 F 型 PN 硅单结晶体管详细规范,订货资料:见本规范第7章,机械说明,外形标准:GB 7581《半导体分立器件外形尺,寸》中代号A 3-02 C,外形图及引出端识别:,2简略说明,PN硅单结晶体,半导体材料:N型硅,封装:金属（空腔）,应用:适用于双稳态线路,电压偏置线路,时间线,路及点火和振荡线路,3质量评定类别,H类,参考数据:(Tamb=25C),Ptot(T) -700 mW,り:。.30.。.55(A B),￡ 45.。.75(C D),〇. 65.〇. 90(E F),% <4 V,厶2 ：5~35 mA,公称尺寸:单位mm,标志:见本规范第6章,2,SJ/T 10086-91,4极限值（绝对最大额定值）,条文号极限值符,数,1 jf T. ■ ■!!■■■ Fil ■ ア ■■ H IB M . ..ー』f 丒,最小值,值,单位,最大值,4. 1,九2,九3,4. 4,4. 4. 1,4.九2,工作环境温度,贮存温度,最高基极电压①,耗散功率,最高有效（等效）结温,与温度相关的最大总耗,散功率②,Tamb,Tstg,^BXBKMAX),T (Vj),^tot(T),~ 55,一55,175,175,30,175,700,廿,℃,c,V,C,mW,注:①见附录B,其中&I =20%,②北mb〉25C，Ptot按九67 mW/C线性降额0,5电特性,检验要求见本规范的第8章,条文号,5, 1,5. 3,14,特性和条件,除非另有规定,Tamb—25ftC,分压比,Vj^2B) = 20 V,BT 37 A.B,BT 37 C,D,BT 37 E、F,基极间电阻,Pbzbj =20 V,/r =0,BT 37 ACE,BT 37 B、D,F,发射极与第二基极间反,向电流,『过5） = — 60 V,/fit 0,发射极饱和压降,IZB2B1 =20 V,/e -50 mA,符号,EB2a,Efil,数 值,单 位检验组别,最小值,0. 30,0.45,0. 65,3,5,最大值,0.55,0. 75,8 90,6,12,A2b,A 2b,-1 pA A2b,4 V A2b,3,SJ/T 10066—91,（续表）,6标志,6.1 器件上的标志,a. 型号和质量类别（放在型号后面）;,b.制造厂商标;,c.检验批识别代码;,d,认证合格标志（适用时）,6.2 包装盒中的标志ナ,a.重复器件上的标志;,b. “防湿”等,7订货资料,a.型号;,b.本规范编号;,c.其它,4,SJ/T 10066-91,8试验条件和检验要求,A组一逐批,全部试验是非破坏性的,检査要求,检验或试验引用标准,条件,除非另有规定,Tamb- 25c,数 值,单位,最小值 最大值,U类,LTPD,A!分组,目检5. 1. 1,5,A2a分组,不工作器件,り,附录A 7,附录A 3,VB2B1 = 20 V,レ=0,町=20 V,0.3,0.03,1200,90,1,A2b分组,り,BT 3? ん B,BT 37 C. D,BT 37. E. F,Rbb,BT 37 ACE,BT 37 BDF,5,附录A 3,附录A 7,附录A 8,附录A 4,yB2B1 —20 V,^bsbi =20 V ? Ze ~ 0,0. 30,0. 45,0. 65,3,5,%E1,附录A 5,附录A 6,= -60 V,ム1 =0,厶m =20 V,ZE —50 mA,入bi =20 V,ZB —50 mA,=20 V,V^i =20 V,% —100 Q,=20 V,% —100 Q,0* 55,0. 75,0. 90,6,12,-1,4,kQ,I1A,5,L5,35,2,3.5,mA,gA,mA,V,5,SJ/T 10066—91,标明3〉的试验是破坏性的试验（エ6. 6）,检验或试验 引用标准,B!分组,尺寸5. 2条,附录C,组——逐批,条件,除非另有规定,Tamb=25C,数 值,最小值,检验要求,最大值,单也,ヱ类,LTPD,见本规范第1章15,B3分组,引线弯曲GB 4937,(D) 2. L 2,方法1,受试引出端数:3,外加力:2.5 N,GB 4937,2. L 1. 1,15,B4分组,可焊性,15,B5分组,温度变化,继之以,密封,B8分组,电耐久性,最后测试,△り,GB 4……
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